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BLS6G3135-120中文资料

BLS6G3135-120图片

BLS6G3135-120外观图

  • 大小:68.12KB
  • 厂家:NXP [NXP Semiconductors]
  • 描述:LDMOS S-Band radar power transistor
  • 晶体管类型::RF MOSFET
  • 电压, Vds 最大::60V
  • 电流, Id 连续::7.2A
  • 工作频率范围::2.7GHz 到 3.1GHz
  • 封装类型::SOT-502A
  • 针脚数::3
  • SVHC(高度关注物质)::No SVHC (18-Jun-2012)

BLS6G3135-120供应商

更新时间:2023-01-09 08:19:04
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